Power Electronic
DCB & AMB Substrates

パワー半導体用DCB & AMB基板

サーモモジュール製造技術を応用した放熱用絶縁基板回路基板では一般的に低電力の家電製品やPCなどでは有機系基板や金属基板が多く使用されていますが、大電力を扱うパワーモジュールの放熱絶縁基板としてはアルミナ、窒化アルミ、窒化ケイ素の基板が利用されます。
特に、HEVやEV車の販売台数増加に伴うインバーター/コンバーターのパワーモジュール向けでは窒化ケイ素基板が注目されており、弊社では従来製品のDCB（Direct Copper Bonding）基板に加えて、新製品となるAMB(Active Metal Brazing)基板の量産を開始しました。
小型化・省エネ化に寄与し、今後の成長が期待されています。

Product Line

製品一覧

Al₂O₃ DCB (ZTA)アルミナ
Al₂O₃ DCB (Ag)アルミナ
Al₂O₃ DCB (Au)アルミナ
Al₂O₃ DCBアルミナ

DCB製品特性
DCB基板性能		項目	数値	単位
		最大寸法	138*190	mm
		最大有効面積	127*178	mm
		レジスト間ピッチ	当社デザインルールに沿う	mm
		レジスト幅	+0.3/-0.2	mm
		剥離強度	>5	N/mm
		半田付け性	>95%	%
		出荷形態	個片納入/MC納入
		表面状態	銅パターン/レジスト/Niメッキ/ Ni金メッキ/銀メッキ	µm
材料	アルミナZTA	成分	90% Al / ZrO₂	%
		厚み	0.32,0.25	mm
		密度	3.95	g/cm³
		熱伝導性	27	W/m.k
		杭折強度	600	W/m.k
		比誘電率	10.5	1MHz
		誘電損失	0.0003	1MHz
		絶縁耐力	20	kV/mm
		体積抵抗	1*1014	Ωcm
	アルミナ	成分	96% Al₂O₃	%
		厚み	1.00,0.89,0.76,0.63,0.5,0.3 8,0.32,0.25	mm
		密度	3.73	g/cm³
		熱伝導性	24	W/m.k
		杭折強度	350～450	Mpa
		比誘電率	9.8	1MHz
		誘電損失	0.0003	1MHz
		絶縁耐力	20	kV/mm
		体積抵抗	1*1014	Ωcm
	銅	材質	無酸素銅	%
		純度	99.99	%
		硬度	90～110	HV
		伝導率	58.6	MS/m
		厚み	0.40,0.30,0.25,0.20,0.127	mm

AMB

Active Metal Brazing

SiN AMB (Au) 窒化ケイ素
SiN AMB (Cu) 窒化ケイ素
SiN AMB (Ni) 窒化ケイ素
SiN AMB窒化ケイ素

AMB製品特性
AMB基板性能		項目	数値	単位
		最大寸法	138*190	mm
		最大有効面積	127*178	mm
		レジスト間ピッチ	当社デザインルールに沿う	mm
		レジスト幅	+0.3/-0.2	mm
		剥離強度	>10	N/mm
		半田付け性	>95%	%
		出荷形態	個片納入/MC納入
		表面状態	銅パターン/レジスト/Niメッキ/ Ni金メッキ/銀メッキ	µm
材料	窒化ケイ素	成分	96% SiN	%
		厚み	0.32,0.25	mm
		密度	3.22	g/cm³
		熱伝導性	90	W/m.k
		杭折強度	700	Mpa
		比誘電率	8	1MHz
		誘電損失	0.001	1MHz
		絶縁耐力	20	kV/mm
		体積抵抗	1*1014	Ωcm
	窒化アルミ	成分	96% AlN	%
		厚み	1.0,0.63,0.38,0.25	mm
		密度	3.3	g/cm³
		熱伝導性	170	W/m.k
		杭折強度	350	Mpa
		比誘電率	9	1MHz
		誘電損失	0.0005	1MHz
		絶縁耐力	20	kV/mm
		体積抵抗	1*1014	Ωcm
	銅	材質	無酸素銅
		純度	99.99	%
		硬度	60～110	HV
		伝導率	58.6	MS/m
		厚み	0.8,0.5,0.4,0.3,0.25,0.2	mm