Power Semiconductor
DCB & AMB Substrates

パワー半導体用DCB & AMB基板

Power Semiconductor DCB & AMB Substrates

サーモモジュール製造技術を応用した放熱用絶縁基板回路基板では一般的に低電力の家電製品やPCなどでは有機系基板や金属基板が多く使用されていますが、大電力を扱うパワーモジュールの放熱絶縁基板としてはアルミナ、窒化アルミ、窒化ケイ素の基板が利用されます。
特に、HEVやEV車の販売台数増加に伴うインバーター/コンバーターのパワーモジュール向けでは窒化ケイ素基板が注目されており、弊社では従来製品のDCB(Direct Copper Bonding)基板に加えて、新製品となるAMB(Active Metal Brazing)基板の量産を開始しました。
小型化・省エネ化に寄与し、今後の成長が期待されています。

Product Line

製品一覧

  • Al₂O₃ DCB (ZTA)アルミナ

  • Al₂O₃ DCB (Ag)アルミナ

  • Al₂O₃ DCB (Au)アルミナ

  • Al₂O₃ DCBアルミナ

DCB製品特性
DCB基板性能 項目 数値 単位
最大寸法 138*190 mm
最大有効面積 127*178 mm
レジスト間ピッチ 当社デザインルールに沿う mm
レジスト幅 +0.3/-0.2 mm
剥離強度 >5 N/mm
半田付け性 >95% %
出荷形態 個片納入/MC納入
表面状態 銅パターン/レジスト/Niメッキ/
Ni金メッキ/銀メッキ
µm

アルミナZTA 成分 90% Al / ZrO₂ %
厚み 0.32,0.25 mm
密度 3.95 g/cm³
熱伝導性 27 W/m.k
杭折強度 600 W/m.k
比誘電率 10.5 1MHz
誘電損失 0.0003 1MHz
絶縁耐力 20 kV/mm
体積抵抗 1*1014 Ωcm
アルミナ 成分 96% Al₂O₃ %
厚み 1.00,0.89,0.76,0.63,0.5,0.3 8,0.32,0.25 mm
密度 3.73 g/cm³
熱伝導性 24 W/m.k
杭折強度 350~450 Mpa
比誘電率 9.8 1MHz
誘電損失 0.0003 1MHz
絶縁耐力 20 kV/mm
体積抵抗 1*1014 Ωcm
材質 無酸素銅 %
純度 99.99 %
硬度 90~110 HV
伝導率 58.6 MS/m
厚み 0.40,0.30,0.25,0.20,0.127 mm

AMB

Active Metal Brazing

  • SiN AMB (Au) 窒化ケイ素

  • SiN AMB (Cu) 窒化ケイ素

  • SiN AMB (Ni) 窒化ケイ素

  • SiN AMB窒化ケイ素

AMB製品特性
AMB基板性能 項目 数値 単位
最大寸法 138*190 mm
最大有効面積 127*178 mm
レジスト間ピッチ 当社デザインルールに沿う mm
レジスト幅 +0.3/-0.2 mm
剥離強度 >10 N/mm
半田付け性 >95% %
出荷形態 個片納入/MC納入
表面状態 銅パターン/レジスト/Niメッキ/
Ni金メッキ/銀メッキ
µm

窒化ケイ素 成分 96% SiN %
厚み 0.32,0.25 mm
密度 3.22 g/cm³
熱伝導性 90 W/m.k
杭折強度 700 Mpa
比誘電率 8 1MHz
誘電損失 0.001 1MHz
絶縁耐力 20 kV/mm
体積抵抗 1*1014 Ωcm
窒化アルミ 成分 96% AlN %
厚み 1.0,0.63,0.38,0.25 mm
密度 3.3 g/cm³
熱伝導性 170 W/m.k
杭折強度 350 Mpa
比誘電率 9 1MHz
誘電損失 0.0005 1MHz
絶縁耐力 20 kV/mm
体積抵抗 1*1014 Ωcm
材質 無酸素銅
純度 99.99 %
硬度 60~110 HV
伝導率 58.6 MS/m
厚み 0.8,0.5,0.4,0.3,0.25,0.2 mm

パワー半導体の種類と耐圧・用途

DCB/AMB主な市場範囲:産業機器、自動車、電気鉄道、再生可能エネルギー

生産拠点

    1. 上海
    2. 上海富楽華半導体科技有限公司
    3. 中国上海市宝山城市工業園区山連路181号
    1. 東台
    2. 江蘇富楽徳半導体科技有限公司
    3. 江蘇省東台市城東新区鴻達路18号