Power Semiconductor
DCB & AMB Substrates

功率半导体基板

Power Semiconductor DCB & AMB Substrates

一般来说,应用热电致冷器制造技术的散热用绝缘基板线路板方面,低功率的家电产品和PC等产品中大多使用有机类基板或金属基板,而应对大功率的电源模块的散热绝缘基板会使用铝、氮化铝、氮化硅材质的基板。
特别是,随着HEV和EV车辆销量的增加,面向逆变器/转换器的电源模块的产品中氮化硅基板备受瞩目,敝公司除传统产品DCB(Direct Copper Bonding)之外,还开始量产新产品AMB(Active Metal Brazing)。
有望为小型化、节能化作出贡献,实现今后的增长。

Product Line

产品一览

  • 氧化铝(ZTA)陶瓷基板

  • 氧化铝陶瓷基板(化学镀银)

  • 氧化铝陶瓷基板(化学镀镍金)

  • 氧化铝陶瓷基板

DCB产品特性
DCB基板性能 项目 数值 单位
最大尺寸 138*190 mm
最大可用面积 127*178 mm
线距 根据不同铜厚而定,详见设计规范 mm
线宽 +0.3/-0.2 mm
铜层剥离强度(最小值) >5 N/mm
可焊性 >95% %
交付方式 小枚交付/大板交付
表面状态 裸铜/阻焊/化学镀镍/
化学镀镍金/银镀
µm

氮化锆陶瓷 成分 90% Al / ZrO₂ %
厚度 0.32,0.25 mm
密度 3.95 g/cm³
导热系数 27 W/m.k
抗弯强度 600 W/m.k
介电常数 10.5 1MHz
介电损耗 0.0003 1MHz
击穿电压 20 kV/mm
体积电阻率 1*1014 Ωcm
氮化铝陶瓷 成分 96% Al₂O₃ %
厚度 1.00,0.89,0.76,0.63,0.5,0.3 8,0.32,0.25 mm
密度 3.73 g/cm³
导热系数 24 W/m.k
抗弯强度 350~450 Mpa
介电常数 9.8 1MHz
介电损耗 0.0003 1MHz
击穿电压 20 kV/mm
体积电阻率 1*1014 Ωcm
材质 无氧铜 %
纯度 99.99 %
硬度 90~110 HV
电导率 58.6 MS/m
厚度 0.40,0.30,0.25,0.20,0.127 mm

AMB

Active Metal Brazing

  • 氮化硅陶瓷基板(化学镀镍金)

  • SiN AMB 氮化硅基板 (裸铜)

  • SiN AMB 氮化硅基板(化学镀镍)

  • SiN AMB 氮化硅基板

AMB产品特性
AMB基板性能 项目 数值 单位
最大尺寸 138*190 mm
最大可用面积 127*178 mm
线距 根据不同铜厚而定,详见设计规范 mm
线宽 +0.3/-0.2 mm
铜层剥离强度(最小值) >10 N/mm
可焊性 >95% %
交付方式 小枚交付/大板交付
表面状态 裸铜/阻焊/化学镀镍/
化学镀镍金/银镀
µm

氮化硅陶瓷 成分 96% SiN %
厚度 0.32,0.25 mm
密度 3.22 g/cm³
导热系数 90 W/m.k
抗弯强度 700 Mpa
介电常数 8 1MHz
介电损耗 0.001 1MHz
击穿电压 20 kV/mm
体积电阻率 1*1014 Ωcm
氮化铝陶瓷 成分 96% AlN %
厚度 1.0,0.63,0.38,0.25 mm
密度 3.3 g/cm³
导热系数 170 W/m.k
抗弯强度 350 Mpa
介电常数 9 1MHz
介电损耗 0.0005 1MHz
击穿电压 20 kV/mm
体积电阻率 1*1014 Ωcm
材质 无氧铜
纯度 99.99 %
硬度 60~110 HV
电导率 58.6 MS/m
厚度 0.8,0.5,0.4,0.3,0.25,0.2 mm

功率半导体的种类和耐压/用途

DCB/AMB的主要市场范围:工业设备、汽车、电力铁路、可再生能源

生产基地

    1. 上海
    2. 上海申和热磁电子有限公司
    3. 上海市宝山城市工业园区山连路181号
    1. 东台
    2. 江苏富乐德半导体科技有限公司
    3. 江苏省东台市城东新区鸿达路18号